基本信息:
- 专利标题： 存储器装置及存储器装置的制造方法
- 申请号：CN202311331766.3 申请日：2023-10-13
- 公开(公告)号：CN118678681A 公开(公告)日：2024-09-20
- 发明人： 金宰浩
- 申请人： 爱思开海力士有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 爱思开海力士有限公司
- 当前专利权人： 爱思开海力士有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理人： 叶朝君; 李强
- 优先权： 10-2023-0035901 2023.03.20 KR
- 主分类号： H10B43/20
- IPC分类号： H10B43/20 ; H10B43/40 ; H10B43/30 ; G11C16/34
摘要：
提供了存储器装置及存储器装置的制造方法。存储器装置包括：源极线；位于源极线上的虚设层叠结构；位于虚设层叠结构上的主层叠结构；以及在贯穿主层叠结构和虚设层叠结构的同时与源极线接触的源极接触件。虚设层叠结构包括：位于源极线上的第一材料层；以及位于第一材料层上的第二材料层、阻挡绝缘层和虚设导电层。主层叠结构包括交替地层叠在虚设层叠结构上的绝缘层和栅极导电层。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10B | 电存储器件 |
| ------H10B43/00 | 具有电荷俘获栅极绝缘层的EEPROM |
| --------H10B43/20 | .以三维布置为特征的，例如，单元胞在不同的高度层 |