基本信息:
- 专利标题： 一种晶体管结构、射频前端器件及电子设备
- 申请号：CN202310316128.8 申请日：2023-03-16
- 公开(公告)号：CN118676143A 公开(公告)日：2024-09-20
- 发明人： 李黎明
- 申请人： 华为技术有限公司
- 申请人地址： 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
- 专利权人： 华为技术有限公司
- 当前专利权人： 华为技术有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
- 代理机构： 北京同达信恒知识产权代理有限公司
- 代理人： 黄丽
- 主分类号： H01L27/088
- IPC分类号： H01L27/088 ; H01L29/10 ; H01L21/762
摘要：
本申请提供一种晶体管结构、射频前端器件及电子设备。晶体管结构包括：衬底、位于衬底之上的有源层、位于有源层背离衬底一侧的栅极层，以及位于有源层与栅极层之间的栅介质层。晶体管结构还包括：多个隔离凹槽，每一个隔离凹槽在厚度方向贯穿有源层。有源层包括：至少一个第一沟道，每一个第一沟道位于相邻两个隔离凹槽之间，每一个第一沟道包括：第一表面、第一侧面和第二侧面，栅极层的图案覆盖每一个第一沟道的第一表面、第一侧面和第二侧面。本申请实施例中，栅极层的图案可以三面包围第一沟道，晶体管结构在开启时，有源层中的第一沟道完全耗尽，防止晶体管结构出现浮体效应、短沟道效应、源漏寄生电容等不良，提升晶体管结构的性能。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/085 | ....只包含场效应的组件 |
| ----------------H01L27/088 | .....有绝缘栅场效应晶体管的组件 |