基本信息:
- 专利标题： 高电子迁移率晶体管及其制造方法
- 申请号：CN202410173444.9 申请日：2024-02-07
- 公开(公告)号：CN118675993A 公开(公告)日：2024-09-20
- 发明人： 何伟誌
- 申请人： 英属开曼群岛商海珀电子股份有限公司
- 申请人地址： 开曼群岛大开曼岛乔治镇桑德北路坎农广场12室
- 专利权人： 英属开曼群岛商海珀电子股份有限公司
- 当前专利权人： 英属开曼群岛商海珀电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 开曼群岛大开曼岛乔治镇桑德北路坎农广场12室
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理人： 王玉双; 张燕华
- 优先权： 18/185,946 2023.03.17 US
- 主分类号： H01L21/335
- IPC分类号： H01L21/335 ; H01L29/778 ; H01L29/06 ; H01L29/45
摘要：
一种高电子迁移率晶体管及其制造方法，该方法包括：在基板上形成通道层；在通道层上形成阻障层；在阻障层上定义栅极结构；定义源极欧姆接触凹陷与漏极欧姆接触凹陷，其中每个源极欧姆接触凹陷与漏极欧姆接触凹陷具有底部与侧壁部；沉积无掺杂层覆盖通道层、阻障层、栅极结构、源极欧姆接触凹陷与漏极欧姆接触凹陷，以在源极欧姆接触凹陷和漏极欧姆接触凹陷的底部和侧壁部周围的界面处重建二维电子气(2DEG)，以增强电子传输能力降低欧姆接触电阻。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |