基本信息:
- 专利标题： 续流二极管内部芯片正向恢复过程电压计算方法及装置
- 申请号：CN202410707062.X 申请日：2024-06-03
- 公开(公告)号：CN118625084A 公开(公告)日：2024-09-10
- 发明人： 季一润 , 袁文迁 , 谢丽芳 , 槐青 , 袁茜 , 高岩峰 , 宋鹏 , 李雨 , 杨敏祥 , 黄彬 , 刘蓁
- 申请人： 华北电力科学研究院有限责任公司 , 国家电网有限公司
- 申请人地址： 北京市西城区复兴门外地藏庵南巷一号
- 专利权人： 华北电力科学研究院有限责任公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人： 华北电力科学研究院有限责任公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市西城区复兴门外地藏庵南巷一号
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理人： 周永君
- 主分类号： G01R31/26
- IPC分类号： G01R31/26 ; G01R19/00
摘要：
本申请公开了一种续流二极管内部芯片正向恢复过程电压计算方法及装置，所述方法包括：计算半桥电路中除了IGBT器件封装寄生电感的回路寄生电感得到第一电感；计算半桥电路中除了IGBT器件封装寄生电感和FWD器件封装寄生电感的回路寄生电感得到第二电感；根据所述第一电感和所述第二电感得到所述FWD器件的FWD器件寄生电感，根据所述FWD器件寄生电感以及电路电流计算得到FWD器件内部芯片正向恢复过程电压。本申请通过观测IGBT器件和FWD器件电压电流波形来估计FWD芯片正向恢复电压，保证续流二极管内部芯片正向恢复过程电压计算的准确性。
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01R | 测量电变量；测量磁变量（通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
| ------G01R31/00 | 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置 |
| --------G01R31/26 | .单个半导体器件的测试 |