基本信息:
- 专利标题： 一种铜互连集成电路的扩散阻挡层及其制备方法
- 申请号：CN202410911694.8 申请日：2024-07-09
- 公开(公告)号：CN118610161A 公开(公告)日：2024-09-06
- 发明人： 王传彬 , 项成 , 彭健 , 王君君 , 徐志刚 , 章嵩 , 涂溶 , 沈强 , 张联盟
- 申请人： 化学与精细化工广东省实验室潮州分中心 , 武汉理工大学 , 武汉工程大学
- 申请人地址： 广东省潮州市潮州大道南段科技大楼二楼
- 专利权人： 化学与精细化工广东省实验室潮州分中心,武汉理工大学,武汉工程大学
- 当前专利权人： 化学与精细化工广东省实验室潮州分中心,武汉理工大学,武汉工程大学
- 当前专利权人地址： 广东省潮州市潮州大道南段科技大楼二楼
- 代理机构： 广东载信专利商标代理事务所(特殊普通合伙)
- 代理人： 杨旭生
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L23/532 ; C23C14/35 ; C23C14/16 ; C23C14/04
摘要：
本发明公开了一种铜互连集成电路的扩散阻挡层及其制备方法，提出新型非晶夹结晶三层结构扩散阻挡层，首先在Si或low‑K衬底上沉积一层非晶态二元合金层，其次在非晶态合金层上沉积结晶态合金层，最后在结晶态合金层上再沉积一层非晶态合金层，进而制备成三层结构的扩散阻挡层。本发明的一种铜互连集成电路的扩散阻挡层采用二元合金构建，相较于传统的氮化物陶瓷阻挡层来说与Cu的热膨胀系数更适配，且粘附性好，结合力强，无需再沉积金属粘附层；其制备方法采用双靶磁控溅射系统沉积扩散阻挡层，只需要调控双靶的溅射功率调控溅射元素的成分比以制备不同结晶形态的二元合金薄膜，沉积过程无需对系统中的原料进行更换调整，工艺简单，操作便捷。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |