![多孔掺硼金刚石复合薄膜温度传感器及其制备方法](/CN/2024/1/130/images/202410654295.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 多孔掺硼金刚石复合薄膜温度传感器及其制备方法
- 申请号:CN202410654295.8 申请日:2024-05-24
- 公开(公告)号:CN118603345A 公开(公告)日:2024-09-06
- 发明人: 范赛飞 , 王彪 , 梁博 , 刘康 , 赵继文 , 徐兴春 , 朱嘉琦
- 申请人: 哈尔滨工业大学 , 哈工大郑州研究院
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学,哈工大郑州研究院
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学,哈工大郑州研究院
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江联合专利商标代理有限公司
- 代理人: 董玉娇
- 主分类号: G01K7/16
- IPC分类号: G01K7/16 ; C01B32/25 ; C23C16/02 ; C23C16/04 ; C23C16/27
摘要:
多孔掺硼金刚石复合薄膜温度传感器及其制备方法,属于温度传感器领域。解决了传统的掺硼金刚石温度传感器无法弱化声子‑电子耦合现象,导致掺硼金刚石温度传感器的电导率随温度变化的敏感性差,以及普通机械装配方式易损伤且存在界面热适配的问题。本发明将掺硼金刚石膜上设置点阵式排列的微纳尺度孔径结构,该微纳尺度孔径结构存在可使掺硼金刚石内声子输运过程发生声子相干现象,弱化声子与电子之间的相互作用,增强电子的输运能力增加掺硼金刚石的电学性能以及其温度敏感性,另一方面多层膜所形成的复合薄膜结构沉积在测温物件表面,确保恶劣环境的机械结构稳定性,并且可以减少界面热适配造成的测温误差与延迟。本发明主要用于测温。
IPC结构图谱:
G | 物理 |
--G01 | 测量;测试 |
----G01K | 温度测量;热量测量;未列入其他类目的热敏元件 |
------G01K7/00 | 以应用直接对热敏感的电或磁性元件为基础的温度测量 |
--------G01K7/16 | .应用电阻元件 |