
基本信息:
- 专利标题: 一种环氧树脂填充碳化三聚氰胺泡沫/二硫化钼的电子元器件封装材料制备方法
- 申请号:CN202410807939.2 申请日:2024-06-21
- 公开(公告)号:CN118599265A 公开(公告)日:2024-09-06
- 发明人: 耿浩然 , 张扬
- 申请人: 武汉理工大学三亚科教创新园
- 申请人地址: 海南省三亚市崖州区崖州湾科技城用友产业园9号楼
- 专利权人: 武汉理工大学三亚科教创新园
- 当前专利权人: 武汉理工大学三亚科教创新园
- 当前专利权人地址: 海南省三亚市崖州区崖州湾科技城用友产业园9号楼
- 代理机构: 北京盛询知识产权代理有限公司
- 代理人: 张燕燕
- 主分类号: C08L63/00
- IPC分类号: C08L63/00 ; C08K7/24 ; C08K3/30
摘要:
本发明公开了一种环氧树脂填充碳化三聚氰胺泡沫/二硫化钼的电子元器件封装材料制备方法,属于新材料技术领域。本发明的环氧树脂填充碳化三聚氰胺泡沫/二硫化钼材料中包含95wt%的环氧树脂和5wt%的碳化三聚氰胺泡沫/二硫化钼吸波剂;所述碳化三聚氰胺泡沫/二硫化钼吸波剂的制备方法包括以下步骤:对三聚氰胺泡沫进行碳化处理得到碳化三聚氰胺泡沫,然后与钼源硫源前驱体溶液混合,反应,得到所述碳化三聚氰胺泡沫/二硫化钼吸波剂。在碳化三聚氰胺泡沫/二硫化钼中,具有三维网络结构的碳化三聚氰胺泡沫为声子和电子传输提供了理想通路。1T/2H‑二硫化钼原位生长在碳化三聚氰胺泡沫表面,导致电磁波的直接反射减少并有效改善了不良阻抗。
IPC结构图谱:
C | 化学;冶金 |
--C08 | 有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物 |
----C08L | 高分子化合物的组合物 |
------C08L63/00 | 环氧树脂的组合物;环氧树脂衍生物的组合物 |