基本信息:
- 专利标题： 一种垂直式HEMT-LED集成器件的制备方法
- 申请号：CN202410763951.8 申请日：2024-06-14
- 公开(公告)号：CN118588820A 公开(公告)日：2024-09-03
- 发明人： 张贺秋 , 王子坤 , 邓群雄 , 韩奎 , 郭文平 , 梁红伟 , 夏晓川 , 张克雄
- 申请人： 元旭半导体科技（无锡）有限公司 , 大连理工大学
- 申请人地址： 江苏省无锡市新吴区环普路9号4号厂房
- 专利权人： 元旭半导体科技（无锡）有限公司,大连理工大学
- 当前专利权人： 元旭半导体科技（无锡）有限公司,大连理工大学
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市新吴区环普路9号4号厂房
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L33/36 ; H01L21/335 ; H01L29/417 ; H01L27/15
摘要：
本发明涉及半导体技术领域，具体为一种垂直式HEMT‑LED集成器件的制备方法，该制备方法中，首先在衬底的正面、反面制备HEMT外延层、LED外延层，然后在HEMT外延层制备源极、漏极、栅极，在LED外延层制备N电极、P电极，源极与P电极电连接，形成共阳极结构，或，漏极与N电极连接，形成共阴极结构，从而获得一种垂直式HEMT‑LED集成器件，该集成器件中，HEMT与LED分别位于衬底的正面、反面，有效降低了LED发光对HEMT的干扰。