基本信息:
- 专利标题： 硅外延层厚度量测方法
- 申请号：CN202310150318.7 申请日：2023-02-21
- 公开(公告)号：CN118538622A 公开(公告)日：2024-08-23
- 发明人： 洪佳琪 , 谭俊 , 颜强
- 申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
- 专利权人： 上海华力集成电路制造有限公司
- 当前专利权人： 上海华力集成电路制造有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
- 代理机构： 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理人： 郭四华
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66 ; H01L23/544
摘要：
本发明公开了一种硅外延层厚度量测方法，包括：步骤一、在由第一硅衬底组成的第一晶圆表面外延生长材料能和硅进行光学区分的第一半导体材料层。步骤二、在第一半导体材料层的表面外延生长第一硅外延层。步骤三、进行硅的厚度测量得到第一硅外延层的第一厚度。步骤四、在第一硅外延层表面进行外延生长形成第二硅外延层。步骤五、进行硅的厚度测量得到第一硅外延层和第二硅外延层的叠加厚度，将叠加厚度减去第一厚度得到第二硅外延层的第二厚度。本发明能克服硅衬底和硅外延层不能光学区分的缺陷从而实现对硅外延层的准确测量，同时还不会对Si外延设备带来污染。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |