基本信息:
- 专利标题： 半导体装置及其制造方法
- 申请号：CN202410176805.5 申请日：2024-02-08
- 公开(公告)号：CN118522688A 公开(公告)日：2024-08-20
- 发明人： 霜野贵也 , 岩桥洋平
- 申请人： 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社
- 申请人地址： 日本爱知县
- 专利权人： 株式会社电装,丰田自动车株式会社,未来瞻科技株式会社
- 当前专利权人： 株式会社电装,丰田自动车株式会社,未来瞻科技株式会社
- 当前专利权人地址： 日本爱知县
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理人： 吕文卓
- 优先权： 2023-023481 2023.02.17 JP
- 主分类号： H01L21/762
- IPC分类号： H01L21/762 ; H10N19/00
摘要：
提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具有元件区域和感测区域。元件区域内的栅极型开关元件具有多个栅极沟槽、栅极电极和将栅极电极的上表面覆盖的层间绝缘层。感测区域内的温度感测二极管具有阳极区域、阴极区域、设在上述阳极区域内的多个第1伪沟槽、配置在上述各第1伪沟槽内的第1绝缘层、设在上述阴极区域内的多个第2伪沟槽、和配置在上述各第2伪沟槽内的第2绝缘层。在具有开关元件和温度感测二极管的半导体装置中，适当地形成有层间绝缘层。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/76 | ...组件间隔离区的制作 |
| --------------H01L21/762 | ....介电区 |