基本信息:
- 专利标题： 一种半导体器件及其制作方法
- 申请号：CN202410680068.2 申请日：2024-05-29
- 公开(公告)号：CN118522636A 公开(公告)日：2024-08-20
- 发明人： 张安邦
- 申请人： 上海新微半导体有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区飞渡路2020号
- 专利权人： 上海新微半导体有限公司
- 当前专利权人： 上海新微半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区飞渡路2020号
- 代理机构： 上海光华专利事务所(普通合伙)
- 代理人： 余明伟
- 主分类号： H01L21/335
- IPC分类号： H01L21/335 ; H01L21/28 ; H01L29/417 ; H01L29/778
摘要：
本发明提供一种半导体器件及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：提供一半导体层，半导体层具有源/漏极接触区域；形成初始接触层于半导体层上，初始接触层与源/漏极接触区域连接；形成源/漏极接触金属于初始接触层上并进行退火使得源/漏极接触金属中金属元素扩散进初始接触层的位于源/漏极接触金属下方的部分中以得到辅助接触层。该制作方法辅助接触层的额外制作以改善源/漏接触金属与半导体层之间的接触特性，降低接触电阻以提升器件工作性能。该器件由于在源/漏极接触金属下方设置有辅助接触层，器件的源漏极接触金属与接触区域之间的接触特性得到改善，使得器件的导通电流特性、稳定性及可靠性得到有效提升。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |