基本信息:
- 专利标题： 一种氮化镓半导体激光器
- 申请号：CN202410562608.7 申请日：2024-05-08
- 公开(公告)号：CN118508233A 公开(公告)日：2024-08-16
- 发明人： 郑锦坚 , 邓和清 , 黄军 , 张会康 , 蔡鑫 , 胡志勇 , 张江勇 , 寻飞林 , 李水清
- 申请人： 安徽格恩半导体有限公司
- 申请人地址： 安徽省六安市金安区巢湖路288号
- 专利权人： 安徽格恩半导体有限公司
- 当前专利权人： 安徽格恩半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省六安市金安区巢湖路288号
- 代理机构： 北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙)
- 代理人： 戴丽伟
- 主分类号： H01S5/20
- IPC分类号： H01S5/20
摘要：
本发明提出了一种氮化镓半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层和上包覆层，所述上波导层包括从下至上设置的第一极化场屏蔽上波导层和第二极化场屏蔽上波导层，所述第一极化场屏蔽上波导层和第二极化场屏蔽上波导层均具有共价键能分布特性和空穴迁移率分布特性。本发明能够屏蔽压电极化场和自发极化场，减少极化效应，降低空穴迁移势垒，减少电子泄漏，降低自发辐射效率的下降，同时，降低价带中的态密度和增加跃迁概率来降低阈值载流子密度，能量值越高，跃迁概率越高，增益增加，振荡所需的阈值载流子密度降低，从而降低阈值电流密度。