基本信息:
- 专利标题： 低电阻开关
- 申请号：CN202380015895.3 申请日：2023-02-01
- 公开(公告)号：CN118476017A 公开(公告)日：2024-08-09
- 发明人： T·H-M·威廉姆斯 , K·A·谢克 , C·罗氏 , H·李 , R·L·米尔斯 , K·K·坎萨加拉 , S·海根 , G·萨姆森
- 申请人： 高通股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理人： 姚宗妮
- 优先权： 202241008380 2022.02.17 IN
- 国际申请： PCT/US2023/061728 2023.02.01
- 国际公布： WO2023/158925 US 2023.08.24
- 进入国家日期： 2024-06-28
- 主分类号： H01L21/8234
- IPC分类号： H01L21/8234 ; H01L27/088 ; H01L27/02
摘要：
在某些方面，一种管芯包括：在第一方向上延伸的鳍；在该鳍上形成的栅极，其中该栅极在垂直于该第一方向的第二方向上延伸；以及在该鳍上形成的源极/漏极接触层，其中该源极/漏极接触层在该第二方向上延伸，并且该栅极与该源极/漏极接触层交错。该管芯还包括：第一栅极金属层；第二栅极金属层，其中该源极/漏极接触层在该第二方向上位于该第一栅极金属层与该第二栅极金属层之间；第一栅极过孔，该第一栅极过孔将该第一栅极金属层电耦合到该栅极；以及第二栅极过孔，该第二栅极过孔将该第二栅极金属层电耦合到该栅极。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |