基本信息:
- 专利标题： 存储器结构及其形成方法
- 申请号：CN202310147566.6 申请日：2023-02-09
- 公开(公告)号：CN118471796A 公开(公告)日：2024-08-09
- 发明人： 王登善 , 代洪刚 , 巨晓华 , 周朝锋 , 李勇
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 张瑞
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L29/423 ; H10B41/30
摘要：
一种存储器结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成浮栅层；在浮栅层上形成栅介质层；在栅介质层上形成第一控制栅层；在第一控制栅层上形成未掺杂半导体层；在第一控制栅层、未掺杂半导体层和栅介质层内形成第一开口；对未掺杂半导体层的表面进行第一清洗处理；在第一开口内和未掺杂半导体层上形成第二控制栅层。通过在第一控制栅层上形成未掺杂半导体层，即使未掺杂半导体层被氧化形成氧化硅层，但是氧化硅层内不具有高含量的掺杂离子，进而可以通过第一清洗处理进行有效去除，有效避免在第一控制栅层和第二控制栅层之间形成一层氧化硅层的界面，进而减少对后续的控栅工艺和硅化镍工艺的影响，从而提升器件结构的性能。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |