基本信息:
- 专利标题： 一种具有空穴输运层的半导体激光器外延结构
- 申请号：CN202410526176.4 申请日：2024-04-29
- 公开(公告)号：CN118448996A 公开(公告)日：2024-08-06
- 发明人： 郑锦坚 , 寻飞林 , 邓和清 , 李水清 , 陈婉君 , 张江勇 , 胡志勇 , 张会康 , 李晓琴 , 蓝家彬
- 申请人： 安徽格恩半导体有限公司
- 申请人地址： 安徽省六安市金安区巢湖路288号
- 专利权人： 安徽格恩半导体有限公司
- 当前专利权人： 安徽格恩半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省六安市金安区巢湖路288号
- 代理机构： 北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙)
- 代理人： 戴丽伟
- 主分类号： H01S5/30
- IPC分类号： H01S5/30 ; H01S5/343 ; H01S5/20
摘要：
本发明提出一种具有空穴输运层的半导体激光器外延结构，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层，电子阻挡层与上包覆层之间设置有空穴输运层，空穴输运层具有轻空穴有效质量分布特性、重空穴有效质量分布特性、价带有效态密度分布特性和电子有效质量分布特性。本发明能够降低空穴迁移势垒，提升空穴的输运效率，减少自由载流子吸收损耗，增加弛豫振动频率，降低俄歇非辐射复合速率和载流子与异质结界面态、表面态的复合效率，提升激光器的温度稳定性及降低老化死灯比例。