基本信息:
- 专利标题： 一种基于Tl离子注入的p沟道GaN异质结构及制备方法
- 申请号：CN202410360177.6 申请日：2024-03-27
- 公开(公告)号：CN118431262A 公开(公告)日：2024-08-02
- 发明人： 许晟瑞 , 李晨 , 安瑕 , 陶鸿昌 , 张涛 , 薛军帅 , 张进成 , 郝跃
- 申请人： 西安电子科技大学
- 申请人地址： 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- 专利权人： 西安电子科技大学
- 当前专利权人： 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- 代理机构： 西安智大知识产权代理事务所
- 代理人： 王晶
- 主分类号： H01L29/205
- IPC分类号： H01L29/205 ; C30B25/18 ; C30B29/40 ; C30B31/22
摘要：
本发明公开了一种基于Tl离子注入的p沟道GaN异质结构及制备方法，自下而上包括：衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、非故意掺杂GaN层和p型GaN层：在p型GaN层上做了Tl离子注入，通过注入Tl离子在GaN层中引入应变之后实现晶体场分裂的逆转，通过引入应变改变价带顶部的顺序，使分离空穴态高于轻空穴态和重空穴态，在发生能带反转后，价带最大值处的空穴波函数将从具有主导的N‑px,y特征转变为N‑pz主导态，提高p沟道GaN异质结构的空穴迁移率。本发明通过在GaN中引入应力改变价带顶部的顺序，使分离空穴态高于轻空穴态和重空穴态，从而提高p沟道GaN异质结构的空穴迁移率，进而提高器件工作频率和输出功率及可靠性。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/06 | ..按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的 |
| ------------H01L29/20 | ...除掺杂材料或其他杂质外，只包括AⅢBⅤ化合物的 |
| --------------H01L29/201 | ....包括两种或更多种化合物的 |
| ----------------H01L29/205 | .....在不同半导体区域中的 |