基本信息:
- 专利标题： 发光二极管芯片及其制备方法
- 申请号：CN202410888242.2 申请日：2024-07-04
- 公开(公告)号：CN118412416B 公开(公告)日：2024-10-11
- 发明人： 吴俊磊 , 秦双娇 , 刘建森 , 应丹青 , 汪杨 , 夏章艮 , 高艳龙
- 申请人： 京东方华灿光电（浙江）有限公司
- 申请人地址： 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
- 专利权人： 京东方华灿光电（浙江）有限公司
- 当前专利权人： 京东方华灿光电（浙江）有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
- 代理机构： 北京三高永信知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 徐立
- 主分类号： H01L33/46
- IPC分类号： H01L33/46 ; H01L33/44 ; H01L33/62 ; H01L33/00
摘要：
本公开实施例提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管芯片包括依次层叠的发光结构、第一透明导电层、绝缘层、第二透明导电层和金属反射层，发光结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一透明导电层具有露出第二半导体层的多个第一通孔；绝缘层通过多个第一通孔与第二半导体层连接；第二透明导电层包覆绝缘层且与第一透明导电层连接，第二透明导电层具有露出绝缘层的多个第二通孔；金属反射层通过多个第二通孔与绝缘层连接。本公开实施例能提高LED芯片的发光效率。
公开/授权文献:
- CN118412416A 发光二极管芯片及其制备方法 公开/授权日：2024-07-30