基本信息:
- 专利标题： 一种铁氧体单晶膜多片同时生长的方法
- 申请号：CN202410614389.2 申请日：2024-05-17
- 公开(公告)号：CN118407123A 公开(公告)日：2024-07-30
- 发明人： 李俊 , 李阳 , 蒋金秀 , 魏占涛 , 魏源 , 刘庆元 , 帅世荣 , 左林森 , 肖礼康 , 蓝江河 , 杨天颖
- 申请人： 西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
- 申请人地址： 四川省绵阳市滨河北路西段268号
- 专利权人： 西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
- 当前专利权人： 西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
- 当前专利权人地址： 四川省绵阳市滨河北路西段268号
- 代理机构： 成都市熠图知识产权代理有限公司
- 代理人： 杨兵
- 主分类号： C30B19/12
- IPC分类号： C30B19/12 ; C30B19/00 ; C30B29/16
摘要：
本发明公开了一种铁氧体单晶膜多片同时生长的方法，属于铁氧体单晶膜材料领域，制备原料包括Y