基本信息:
- 专利标题： 正装LED芯片及改善芯片电极粗糙的方法
- 申请号：CN202410446660.6 申请日：2024-04-15
- 公开(公告)号：CN118398742A 公开(公告)日：2024-07-26
- 发明人： 朱合意 , 贾钊 , 窦志珍 , 胡恒广
- 申请人： 青岛旭芯互联科技研发有限公司 , 东旭科技集团有限公司
- 申请人地址： 山东省青岛市黄岛区（原开发区武夷山路437号户）
- 专利权人： 青岛旭芯互联科技研发有限公司,东旭科技集团有限公司
- 当前专利权人： 青岛旭芯互联科技研发有限公司,东旭科技集团有限公司
- 当前专利权人地址： 山东省青岛市黄岛区（原开发区武夷山路437号户）
- 代理机构： 北京连和连知识产权代理有限公司
- 代理人： 刘小峰; 杨帆
- 主分类号： H01L33/38
- IPC分类号： H01L33/38 ; H01L33/44
摘要：
本发明公开了一种正装LED芯片及改善芯片电极粗糙的方法，在形成有金属电极结构的芯片中间体上覆盖牺牲层后，进行熔合退火处理，确保金属电极与半导体之间形成欧姆接触，然后蚀刻掉所述牺牲层。本发明在做出金属电极后增加牺牲层覆盖的工序，例如将SiO