基本信息:
- 专利标题： 半导体器件及形成方法、半导体结构
- 申请号：CN202310086772.0 申请日：2023-01-19
- 公开(公告)号：CN118366959A 公开(公告)日：2024-07-19
- 发明人： 王晓东 , 王西宁 , 钱蔚宏
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 田施雨
- 主分类号： H01L23/528
- IPC分类号： H01L23/528 ; H01L23/552 ; H01L23/64
摘要：
本发明提供一种半导体器件及其形成方法、半导体结构，其中半导体器件包括：衬底；位于衬底上的屏蔽层，屏蔽层与衬底电连接，屏蔽层包括若干第一区和位于相邻第一区之间的第二区，若干第一区围绕屏蔽层的中心均匀分布，第一区上具有第一图案化接地屏蔽结构，第二区上具有第二图案化接地屏蔽结构，第一图案化接地屏蔽结构和第二图案化接地屏蔽结构不同；位于衬底表面的接地环，接地环环绕屏蔽层且与屏蔽层电连接，满足射频集成电路的工艺需求。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/522 | ..包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的 |
| ------------H01L23/528 | ...互连结构的布置 |