![一种用于磁屏蔽室构建的坡莫合金材料性能评测方法](/CN/2024/1/93/images/202410468484.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 一种用于磁屏蔽室构建的坡莫合金材料性能评测方法
- 申请号:CN202410468484.6 申请日:2024-04-18
- 公开(公告)号:CN118311357A 公开(公告)日:2024-07-09
- 发明人: 孙芝茵 , 李运召 , 李立毅 , 李朋轩 , 李子琦 , 张效源
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江联合专利商标代理有限公司
- 代理人: 孟宪会
- 主分类号: G01R31/00
- IPC分类号: G01R31/00
摘要:
一种用于磁屏蔽室构建的坡莫合金材料性能评测方法,它涉及合金屏蔽性能测评。本发明为了解决现有坡莫合金在磁屏蔽室中的屏蔽效果缺乏深入研究,导致无法满足不同应用场景对磁场屏要求的问题。步骤一:选取坡莫合金样品,并对其进行质量检查,以确保符合实验需求;步骤二:搭建实验装置;坡莫合金样品竖直放置,磁场产生线圈和磁场测量传感器分别放置在坡莫合金样品的左右两侧;步骤三:对坡莫合金样品进行屏蔽性能测评;步骤四:根据评估结果,选择最合适的坡莫合金材料,并对磁屏蔽室的结构和参数进行优化,至此,完成了对坡莫合金性能的评测。本发明用于快速、准确地评估坡莫合金在磁屏蔽室中的屏蔽效果。
公开/授权文献:
- CN118311357B 一种用于磁屏蔽室构建的坡莫合金材料性能评测方法 公开/授权日:2024-11-22
IPC结构图谱:
G | 物理 |
--G01 | 测量;测试 |
----G01R | 测量电变量;测量磁变量(通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
------G01R31/00 | 电性能的测试装置;电故障的探测装置;以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置 |