
基本信息:
- 专利标题: 一种蒸镀掩膜版及其形成方法
- 申请号:CN202410426187.5 申请日:2024-04-09
- 公开(公告)号:CN118308686A 公开(公告)日:2024-07-09
- 发明人: 辛春艳 , 杨震元 , 吴康敬 , 孙扬
- 申请人: 浙江宏禧科技有限公司
- 申请人地址: 浙江省金华市义乌市苏溪镇高塘路126号
- 专利权人: 浙江宏禧科技有限公司
- 当前专利权人: 浙江宏禧科技有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省金华市义乌市苏溪镇高塘路126号
- 代理机构: 北京市一法律师事务所
- 代理人: 刘荣娟
- 主分类号: C23C14/04
- IPC分类号: C23C14/04 ; C23C14/24
摘要:
本申请提供一种蒸镀掩膜版及其形成方法,所述蒸镀掩膜版包括:晶圆,所述晶圆包括相对的第一面和第二面;保护层,位于所述晶圆的第一面和第二面;金属层,位于所述第一面和第二面的保护层表面;若干组子蒸镀通孔,位于所述第一面的金属层中暴露所述第一面的保护层,每组子蒸镀通孔包括至少三个子蒸镀通孔;若干蒸镀通孔,位于所述第二面贯穿所述第二面的金属层、第二面的保护层、晶圆和第一面的保护层暴露所述第一面的金属层,其中,每个蒸镀通孔连接一组子蒸镀通孔及该组子蒸镀通孔之间的区域。本申请的蒸镀掩膜版及其形成方法,能够具有超薄尺寸并且实现1微米及以下级别的子像素蒸镀,不会在实际蒸镀过程中产生纱窗效应。