基本信息:
- 专利标题： 一种半导体用选择性电化学硅蚀刻液及蚀刻方法
- 申请号：CN202410352505.8 申请日：2024-03-26
- 公开(公告)号：CN118308110A 公开(公告)日：2024-07-09
- 发明人： 秦祥 , 李少平 , 贺兆波 , 叶瑞 , 余迪
- 申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
- 申请人地址： 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-3号
- 专利权人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
- 当前专利权人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
- 当前专利权人地址： 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-3号
- 代理机构： 宜昌市三峡专利事务所
- 代理人： 蒋悦
- 主分类号： C09K13/08
- IPC分类号： C09K13/08 ; H01L21/306
摘要：
本发明公开了一种半导体用选择性电化学硅蚀刻液及蚀刻方法，选择性电化学硅蚀刻液包含1‑8%的氢氟酸，1‑10%的导电化合物，0.01%‑2%的表面活性剂，以及余量的超纯水。电化学蚀刻时将待选择性蚀刻的同时含有n‑Si和p‑Si的晶圆片作为电化学阳极，通过电化学选择性的阳极氧化，并通过电化学蚀刻液中的氢氟酸去除已被选择性氧化的硅层，可以达到选择性蚀刻n‑Si而保持p‑Si完全不被蚀刻的目的。本发明提出的选择性电化学硅蚀刻液不含任何强氧化剂，且通过控制电化学电压可以非常方便地控制n‑Si的蚀刻速率，可控性强。
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C09 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 |
| ----C09K | 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用 |
| ------C09K13/00 | 蚀刻，表面光亮或浸渍组合物 |
| --------C09K13/04 | .含一种无机酸 |
| ----------C09K13/08 | ..含一种氟化物 |