
基本信息:
- 专利标题: 一种抛光设备及方法
- 申请号:CN202410737627.9 申请日:2024-06-07
- 公开(公告)号:CN118305713A 公开(公告)日:2024-07-09
- 发明人: 朱亮 , 李阳健 , 郑猛 , 黄金涛 , 韩鹏飞
- 申请人: 浙江求是半导体设备有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
- 申请人地址: 浙江省杭州市临平区临平街道顺达路500号1幢102室
- 专利权人: 浙江求是半导体设备有限公司,浙江晶盛机电股份有限公司
- 当前专利权人: 浙江求是半导体设备有限公司,浙江晶盛机电股份有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市临平区临平街道顺达路500号1幢102室
- 代理机构: 杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人: 赵杰香
- 主分类号: B24B29/02
- IPC分类号: B24B29/02 ; B24B41/00 ; B24B1/00 ; B24B55/06 ; B24B27/00 ; B24B37/10 ; B24B37/04 ; B24B37/34
摘要:
本申请涉及半导体加工领域,尤其是涉及一种抛光设备及方法,抛光设备包括:上料室,所述上料室用于抛片上料;加工室,所述加工室用于抛片加工,所述加工室与所述上料室连通;下料室,所述下料室用于抛片下料,所述下料室与所述加工室连通;以及传动机构,所述传动机构设置于所述上料室与所述加工室之间、所述加工室与所述下料室之间,所述传动机构用于所述上料室向所述加工室输入抛片、所述加工室向所述下料室输出抛片;其中,所述上料室设置有第一气压,所述加工室与所述下料室设置有第二气压,所述第一气压大于所述第二气压。解决了CMP设备空间内的颗粒污染的技术问题,达到降低CMP设备空间内的颗粒污染的技术效果。
公开/授权文献:
- CN118305713B 一种抛光设备及方法 公开/授权日:2024-08-20
IPC结构图谱:
B | 作业;运输 |
--B24 | 磨削;抛光 |
----B24B | 用于磨削或抛光的机床、装置或工艺;磨具磨损表面的修理或调节;磨削,抛光剂或研磨剂的进给 |
------B24B29/00 | 有或没有使用固体或液体抛光剂并利用柔软材料或挠性材料制作的工具进行工件表面抛光的机床或装置 |
--------B24B29/02 | .适用于特殊工件的 |