基本信息:
- 专利标题： SGT IGBT器件
- 申请号：CN202211689598.0 申请日：2022-12-27
- 公开(公告)号：CN118263297A 公开(公告)日：2024-06-28
- 发明人： 栾宁 , 曾大杰
- 申请人： 上海鼎阳通半导体科技有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张衡路666弄1号609室
- 专利权人： 上海鼎阳通半导体科技有限公司
- 当前专利权人： 上海鼎阳通半导体科技有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张衡路666弄1号609室
- 代理机构： 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理人： 郭四华
- 主分类号： H01L29/423
- IPC分类号： H01L29/423 ; H01L29/06 ; H01L29/739 ; H01L21/331
摘要：
本发明公开了一种SGT IGBT器件，包括：第一导电类型掺杂的漂移区、位于漂移区的顶部的体区以及漂移区的底部的集电区；在器件单元区中形成有多个第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构包括形成于第一栅极沟槽中的屏蔽介质层、屏蔽栅导电材料层、栅间介质层、栅极导电材料层和栅介质层。第二栅极结构包括形成于第二栅极沟槽中栅极导电材料层和栅介质层。第一栅极结构和第二栅极结构交替排列。本发明能优化对沟道耗尽，能改善应力，减少米勒电容、降低开关损耗以及增加开关速度。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/41 | ..以其形状、相对尺寸或位置为特征的 |
| ------------H01L29/423 | ...不通有待整流、放大或切换电流的 |