基本信息:
- 专利标题： 将金属氟氧化物转化为超导氧化物的受控转化
- 专利标题（英）：Controlled conversion of metal oxyfluorides into superconducting oxides
- 申请号：CN98808231.4 申请日：1998-06-17
- 公开(公告)号：CN1182597C 公开(公告)日：2004-12-29
- 发明人： 约翰A·史密斯 , 迈克尔J·奇马 , 内维尔·索南伯
- 申请人： 麻省理工学院
- 申请人地址： 美国马萨诸塞州
- 专利权人： 麻省理工学院
- 当前专利权人： 麻省理工学院
- 当前专利权人地址： 美国马萨诸塞州
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 方挺; 余朦
- 优先权： 08/878,058 1997.06.18 US
- 国际申请： PCT/US1998/012645 1998.06.17
- 国际公布： WO1998/058415 EN 1998.12.23
- 进入国家日期： 2000-02-17
- 主分类号： H01L39/24
- IPC分类号： H01L39/24
摘要：
一种氧化物超导体产品，其具有一层设置在基底上的氧化物超导体薄膜，其厚度大于0.5微米，该产品在77k、零磁场下具有大于或者等于105A/cm2的临界电流密度(Jc)。该氧化物超导体薄膜的特征在于其具有高的临界电流密度和高体积百分比的c-轴取向氧化物晶粒，甚至可达到1微米。该氧化物超导体产品通过提供金属氟氧化物薄膜来制备，所述金属氟氧化物薄膜包括基本上按照化学计量比例的一种氧化物超导体的组份金属元素；并将金属氟氧化物转换为氧化物超导体，其转换速率通过调节从下述反应参数中选择出来的参数而予以选择，该参数包括温度、PH2O、PO2、时间以及其结合，以便得到在77K、零磁场下具有大于或者等于大约105A/cm2的临界电流密度的氧化物超导体薄膜。
公开/授权文献:
- CN1267398A 将金属氟氧化物转化为超导氧化物的受控转化 公开/授权日：2000-09-20
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L39/00 | 应用超导电性的或高导电性的器件，专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L39/24 | .专门适用于制造或处理包含在H01L39/00组内的器件或其部件的方法或设备 |