![一种低导通电阻高压大功率固体继电器](/CN/2022/1/332/images/202211662047.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 一种低导通电阻高压大功率固体继电器
- 申请号:CN202211662047.5 申请日:2022-12-23
- 公开(公告)号:CN118248639A 公开(公告)日:2024-06-25
- 发明人: 林永 , 翟耀华 , 郭建章 , 闫军政 , 韦跃武 , 王承贵 , 文仁俊
- 申请人: 贵州振华群英电器有限公司(国营第八九一厂)
- 申请人地址: 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段258号
- 专利权人: 贵州振华群英电器有限公司(国营第八九一厂)
- 当前专利权人: 贵州振华群英电器有限公司(国营第八九一厂)
- 当前专利权人地址: 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段258号
- 代理机构: 北京恒和顿知识产权代理有限公司
- 代理人: 丁洁
- 主分类号: H01L23/29
- IPC分类号: H01L23/29 ; H01L23/31 ; H01L23/49 ; H01L25/07 ; H01L29/16 ; H01L29/78
摘要:
本发明公开了一种低导通电阻高压大功率固体继电器,该继电器为金属气密性封装结构,包括输入引线、与所述输入引线电气连接的输入电路模块、与所述输入电路模块电气连接的输出功率组件,以及输出引线;所述输出功率组件包括SiC材料的场效应管MOSFET芯片,所述场效应管MOSFET芯片的输出端作为所述输出功率组件的输出端用于与所述输出引线电气连接;所述输出引线被配置为用于降低继电器输出电阻和所述场效应管MOSFET芯片散热通道热阻的TU1无氧铜材料。本发明提高了输出电压、降低了导通电阻、提高了负载体积比和提高产品集成度。
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
--------H01L23/02 | .容器;封接 |
----------H01L23/29 | ..按材料特点进行区分的 |