基本信息:
- 专利标题： 在MEMS结构中起到支撑作用的牺牲层材料的刻蚀工艺
- 申请号：CN202410294237.9 申请日：2024-03-14
- 公开(公告)号：CN118239446A 公开(公告)日：2024-06-25
- 发明人： 朱景春 , 赵刚 , 李海涛 , 高玉波 , 胡青霜 , 刘正楚
- 申请人： 安徽光智科技有限公司
- 申请人地址： 安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号
- 专利权人： 安徽光智科技有限公司
- 当前专利权人： 安徽光智科技有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号
- 代理机构： 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 张向琨
- 主分类号： B81C1/00
- IPC分类号： B81C1/00
摘要：
一种在MEMS结构中起到支撑作用的牺牲层材料的刻蚀工艺包括步骤：提供待刻蚀的复合膜层，复合膜层包括从下往上的硅衬底、介质层以及聚酰亚胺层；在聚酰亚胺层设置图案化的光刻胶以形成沟槽，以使沟槽露出用于形成孔的部分的聚酰亚胺层而孔周围的聚酰亚胺层覆盖有光刻胶；主刻蚀，采用He、CF
IPC结构图谱:
| B | 作业；运输 |
| --B81 | 微观结构技术 |
| ----B81C | 专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备 |
| ------B81C1/00 | 在基片内或其上制造或处理的装置或系统 |