基本信息:
- 专利标题： 一种GaN肖特基二极管及其制备方法
- 申请号：CN202410649688.X 申请日：2024-05-24
- 公开(公告)号：CN118231482B 公开(公告)日：2024-08-30
- 发明人： 武乐可 , 李亦衡 , 朱廷刚
- 申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
- 申请人地址： 江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号B12幢
- 专利权人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
- 当前专利权人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号B12幢
- 代理机构： 北京高沃律师事务所
- 代理人： 霍苗
- 主分类号： H01L29/872
- IPC分类号： H01L29/872 ; H01L21/329
摘要：
本发明属于功率电子器件技术领域，具体涉及一种GaN肖特基二极管及其制备方法。本发明提供的GaN肖特基二极管包括衬底、设置在衬底上表面的GaN层、AlGaN层、阴极、钝化层和阳极；阴极同时与GaN层和AlGaN层欧姆接触；AlGaN层上表面远离所述阴极的一侧且非边缘的区域设置有多个分离的P‑GaN柱，相邻P‑GaN柱之间填充有NiO层；所述阳极的一部分与所述P‑GaN柱和NiO层肖特基接触。本发明对GaN肖特基二极管的结构和材料进行优化，利用NiO的弱p型半导体性能，降低了正向开启电压；同时利用p‑GaN柱对二维电子气的强耗尽作用，保证了器件具有高的反向耐压，有效提高了GaN肖特基二极管的性能。
公开/授权文献:
- CN118231482A 一种GaN肖特基二极管及其制备方法 公开/授权日：2024-06-21
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/86 | ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的 |
| ------------H01L29/861 | ...二极管 |
| --------------H01L29/872 | ....肖特基二极管 |