基本信息:
- 专利标题： 一种集成沟道二极管SiC MOSFET器件及制备方法
- 申请号：CN202410554028.3 申请日：2024-05-07
- 公开(公告)号：CN118231260A 公开(公告)日：2024-06-21
- 发明人： 陈鸿骏 , 徐峰 , 赵耀 , 杨程 , 王亚男 , 裘俊庆 , 王毅
- 申请人： 扬州扬杰电子科技股份有限公司
- 申请人地址： 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期
- 专利权人： 扬州扬杰电子科技股份有限公司
- 当前专利权人： 扬州扬杰电子科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期
- 代理机构： 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 郭翔
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78
摘要：
一种集成沟道二极管SiC MOSFET器件及制备方法，涉及半导体器件。本发明提供了一种源极驱动沟道二极管的SiC MOS结构，当SiC MOS器件工作在第三象限时，源极加上正电压，可以将部分沟道开启，一部分电流通过沟道从源极流向漏极，还有一部分电流通过寄生P‑i‑N二极管流向漏极，电流路径可以分解为两个流向，极大的降低了器件在第三项象限的导通损耗。本发明方法制作工艺简单，效果显著，可以应用于新型碳化硅MOSFET功率器件的制造。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |