基本信息:
- 专利标题： 半导体设备及待处理晶圆的温度测量方法
- 申请号：CN202410363689.8 申请日：2024-03-27
- 公开(公告)号：CN118213300A 公开(公告)日：2024-06-18
- 发明人： 陈宣 , 杨燕康
- 申请人： 上海积塔半导体有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区云水路600号
- 专利权人： 上海积塔半导体有限公司
- 当前专利权人： 上海积塔半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区云水路600号
- 代理机构： 华进联合专利商标代理有限公司
- 代理人： 成亚婷
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67 ; G01K7/02 ; G01K1/14 ; C23C14/54 ; C23C14/34
摘要：
本公开实施例提供了一种半导体设备及待处理晶圆的温度测量方法。该半导体设备，包括：设备本体和晶圆温测装置。设备本体具有腔室和腔温检测模块。腔温检测模块包括：温测插头及与温测插头连接但可拆卸的腔温检测线。晶圆温测装置包括：虚设晶圆和至少一个温测传感器。虚设晶圆的厚度等于待处理晶圆的厚度。温测传感器设置于虚设晶圆的一侧。温测传感器具有引出端，所述引出端用于从腔室内引出，并用于在拆除腔温检测线和温测插头之间的连接后，使引出端与温测插头连接，以通过温测插头插接设备本体中对应的温测接口。本公开用于提升超薄晶圆的产品良率。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |