基本信息:
- 专利标题： 一种改善单晶工序中坩埚鼓包的方法
- 申请号：CN202410373176.5 申请日：2024-03-29
- 公开(公告)号：CN118166422A 公开(公告)日：2024-06-11
- 发明人： 王晨 , 唐兴华 , 王艺澄 , 王军磊
- 申请人： 包头美科硅能源有限公司 , 云南美科新能源发展有限公司
- 申请人地址： 内蒙古自治区包头市昆都仑区金属深加工园区拓业路1号-1
- 专利权人： 包头美科硅能源有限公司,云南美科新能源发展有限公司
- 当前专利权人： 包头美科硅能源有限公司,云南美科新能源发展有限公司
- 当前专利权人地址： 内蒙古自治区包头市昆都仑区金属深加工园区拓业路1号-1
- 代理机构： 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
- 代理人： 陈志军
- 主分类号： C30B29/06
- IPC分类号： C30B29/06 ; C30B15/10
摘要：
本发明公开了一种改善单晶工序中坩埚鼓包的方法，涉及单晶硅生产技术领域，包括：向坩埚中添加硅料；对单晶炉进行抽真空处理；将单晶炉控制在无压状态，并持续时间T，使坩埚中的气体逸散至单晶炉内。本发明通过对单晶炉进行抽真空，使坩埚中的气泡与单晶炉内进行压力差，坩埚中的气体会逸散到压力更低的单晶炉内，从而达到坩埚内气泡中的气体被抽出的效果，有效改善了坩埚鼓包的情况，大大延长了坩埚的使用寿命，从而降低了单晶硅的生产成本。