基本信息:
- 专利标题： 一种用于源漏电极的高功函数合金及其制备方法
- 申请号：CN202410322563.6 申请日：2024-03-20
- 公开(公告)号：CN118147479A 公开(公告)日：2024-06-07
- 发明人： 韩培德 , 马洁 , 李政 , 张翊 , 曹宇 , 李枝兰 , 白兰 , 梁学磊
- 申请人： 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司 , 山西北大碳基薄膜电子研究院 , 太原理工大学
- 申请人地址： 山西省太原市小店区营盘街道南内环街16号
- 专利权人： 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司,山西北大碳基薄膜电子研究院,太原理工大学
- 当前专利权人： 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司,山西北大碳基薄膜电子研究院,太原理工大学
- 当前专利权人地址： 山西省太原市小店区营盘街道南内环街16号
- 代理机构： 北京惟专知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 赵星
- 主分类号： C22C5/04
- IPC分类号： C22C5/04 ; H10K10/84 ; H10K10/46 ; H10K85/20 ; C22C30/00 ; C22C1/02 ; C22F1/14 ; C22F1/02
摘要：
本发明涉及一种用于源漏电极的高功函数合金及其制备方法，属于半导体器件技术领域，所述合金包括：原子百分比为30at.％‑45at.％的钯；原子百分比为35at.％‑65at.％的铂；以及原子百分比为5at.％‑20at.％的的微调元素，其中，所述微调元素为镍、钴、金、钌、铑、铱中的一种或多种。本申请提供的用于源漏电极的高功函数合金及其制备方法，相较单元素金属具有更高的功函数，有利于和小直径碳纳米管价带对准、降低接触势垒，并且保持了和小直径碳纳米管接触的浸润性，提升开态电流；此外，由于提供的合金具有更高的功函数，对大直径碳纳米管也展示出较现有技术方案更优异的开态电流。