![半导电屏蔽料、其制备方法及其半导电屏蔽制品和电缆](/CN/2024/1/24/images/202410121071.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 半导电屏蔽料、其制备方法及其半导电屏蔽制品和电缆
- 申请号:CN202410121071.0 申请日:2024-01-29
- 公开(公告)号:CN118146585A 公开(公告)日:2024-06-07
- 发明人: 杨威 , 陈维江 , 李圣驿 , 杨入云 , 乔健 , 陈赟 , 王琨 , 涂必冬 , 刘超群 , 董安有
- 申请人: 北京怀柔实验室 , 北京智慧能源研究院
- 申请人地址: 北京市怀柔区杨雁东一路8号
- 专利权人: 北京怀柔实验室,北京智慧能源研究院
- 当前专利权人: 北京怀柔实验室,北京智慧能源研究院
- 当前专利权人地址: 北京市怀柔区杨雁东一路8号
- 代理机构: 北京智专天权知识产权代理有限公司
- 代理人: 王茹
- 主分类号: C08L23/08
- IPC分类号: C08L23/08 ; C08L23/06 ; C08K3/04 ; C08K5/14 ; H01B9/02
摘要:
一种半导电屏蔽料、制备方法及其半导电屏蔽制品和电缆。所述半导电屏蔽料包括如下重量份的组分:55~65份的复配树脂、25~35份的导电填料和1.5~2份的交联剂;其中,所述复配树脂包括低密度聚乙烯(LDPE)树脂、乙烯‑乙酸乙烯酯(EVA)树脂和乙烯‑丙烯酸树脂,所述低密度聚乙烯树脂、所述乙烯‑乙酸乙烯酯树脂和所述乙烯‑丙烯酸树脂的质量比满足:1:(0.2~1.5):(1~4)。本申请的半导电屏蔽料的PTC系数较低,屏蔽料的PTC效应能够得到抑制,降低PTC效应对高压电缆使用的不利影响。
IPC结构图谱:
C | 化学;冶金 |
--C08 | 有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物 |
----C08L | 高分子化合物的组合物 |
------C08L21/00 | 未指定的橡胶的组合物 |
--------C08L23/02 | .未用化学后处理改性的 |
----------C08L23/04 | ..乙烯的均聚物或共聚物 |
------------C08L23/08 | ...乙烯的共聚物 |