基本信息:
- 专利标题： 一种氧化铪基铁电共振隧穿二极管及其制作方法
- 申请号：CN202410283318.9 申请日：2024-03-13
- 公开(公告)号：CN118136693A 公开(公告)日：2024-06-04
- 发明人： 曾斌建 , 王弘毅 , 廖敏 , 杨琼 , 彭强祥
- 申请人： 湘潭大学
- 申请人地址： 湖南省湘潭市雨湖区羊沽塘
- 专利权人： 湘潭大学
- 当前专利权人： 湘潭大学
- 当前专利权人地址： 湖南省湘潭市雨湖区羊沽塘
- 代理机构： 深圳市沈合专利代理事务所(特殊普通合伙)
- 代理人： 沈祖锋
- 主分类号： H01L29/88
- IPC分类号： H01L29/88 ; H01L29/24 ; H01L29/06 ; H01L21/34 ; B82Y40/00
摘要：
本发明涉及一种氧化铪基铁电共振隧穿二极管及其制备方法，包括由下至上依次设置的：基底层、第一势垒层、量子阱层、第二势垒层及顶电极；所述第一势垒层和所述第二势垒层的材料为氧化铪基铁电材料，如此，通过氧化铪基铁电材料的可切换电极化状态来调节势垒层厚度和量子化能级，其具有优异的温度稳定性，可以在室温下稳定工作。氧化铪基铁电薄膜可以实现纳米级的薄膜沉积，有利于应用在高集成度的微电子器件中，并与CMOS工艺兼容，极大的减少了生产成本，有利于实现商业化应用，同时氧化铪基铁电薄膜的耐久性能优异，有利于共振隧穿二极管长期稳定工作。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/86 | ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的 |
| ------------H01L29/861 | ...二极管 |
| --------------H01L29/88 | ....隧道效层二极管 |