基本信息:
- 专利标题： 双栅双沟道LDMOS器件及制造方法
- 申请号：CN202410553697.9 申请日：2024-05-07
- 公开(公告)号：CN118136678B 公开(公告)日：2024-07-05
- 发明人： 赵东艳 , 刘芳 , 郭乾文 , 张睿 , 吴波 , 邓永峰
- 申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
- 申请人地址： 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
- 专利权人： 北京智芯微电子科技有限公司,浙江大学
- 当前专利权人： 北京智芯微电子科技有限公司,浙江大学
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
- 代理机构： 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理人： 郑海涛
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/10 ; H01L29/423 ; H01L21/28 ; H01L21/336
摘要：
本发明涉及半导体技术领域，提供一种双栅双沟道LDMOS器件及制造方法。所述LDMOS器件包括：衬底，形成于衬底上的掩埋层、漂移区、体区、源区和漏区，以及位于体区上表面的栅氧化层和第一栅极；体区与源区及漂移区相接，漂移区与源区及漏区相接，掩埋层位于漂移区的底部，掩埋层与器件本体外的第二栅极相连；体区与栅氧化层及第一栅极组成MOSFE结构，使得体区表面形成第一沟道；体区与漂移区、掩埋层及第二栅极组成JFET结构，使得漂移区表面形成第二沟道。本发明通过双导电沟道的方式，提高击穿电压同时降低器件的比导通电阻，该器件的结构简单，制造工艺复杂度较低且可与CMOS工艺集成。
公开/授权文献:
- CN118136678A 双栅双沟道LDMOS器件及制造方法 公开/授权日：2024-06-04
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |