基本信息:
- 专利标题： 一种静电保护器件的制备方法和静电保护器件
- 申请号：CN202410210338.3 申请日：2024-02-26
- 公开(公告)号：CN118136583A 公开(公告)日：2024-06-04
- 发明人： 顾彦国 , 张啸 , 蒋骞苑 , 沈蓉 , 杜牧涵 , 王允 , 赵德益 , 李亚文 , 张利明
- 申请人： 上海维安半导体有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
- 专利权人： 上海维安半导体有限公司
- 当前专利权人： 上海维安半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
- 代理机构： 上海申新律师事务所
- 代理人： 吴轶淳
- 主分类号： H01L21/8222
- IPC分类号： H01L21/8222 ; H01L27/02
摘要：
本发明提供一种静电保护器件的制备方法和静电保护器件，涉及半导体技术领域，包括：于P型衬底上依次形成N型埋层和N型外延层；于N型外延层上的预定区域形成至少一组N型深阱区，并在位于一组N型深阱区之间的N型外延层上依次形成N型轻掺杂阱区和P型重掺杂阱区；分别于N型深阱区和P型重掺杂阱区上形成N型半导体区域，N型半导体区域、P型重掺杂阱区和N型轻掺杂阱区构成瞬态电压抑制管；于相邻的各N型半导体区域之间分别刻蚀形成隔离槽，隔离槽自N型外延层的上表面向下延伸至P型衬底中；依次沉积介质层和金属层，以制备得到静电保护器件。有益效果是具有高击穿电压和高触发电压，且导通电阻和钳位电压都更小。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |