基本信息:
- 专利标题： 嵌入式3D SONOS存储器及其制造方法
- 申请号：CN202410225479.2 申请日：2024-02-29
- 公开(公告)号：CN118102726A 公开(公告)日：2024-05-28
- 发明人： 王宁 , 张可钢
- 申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
- 专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
- 代理机构： 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理人： 刘昌荣
- 主分类号： H10B43/30
- IPC分类号： H10B43/30 ; H10B43/20
摘要：
本申请提供一种嵌入式3D SONOS存储器及其制造方法，该存储器的结构由一个横向的存储管和一个纵向的选择管组成，相邻两个选择管共用一个源端，并且源端与选择管通过第三多晶硅层和第二多晶硅层共接在一起。本申请的有益效果：(1)存储区与逻辑区多晶硅栅极和栅氧化层分别独立生长刻蚀，便于不同厚度栅极的调控；(2)存储区光罩版定义相邻两个存储管和选择管源端的总宽度，单个存储管的栅长由自对准刻蚀定义，利于器件尺寸缩小；(3)存储区选择管栅长在纵向上由刻蚀深度决定，利于缩减水平方向尺寸；(4)选择管栅极由第三多晶硅层和第二多晶硅层相连组成，将相邻两个选择管和其中间的源端连在一起，减少接触孔数量，利于尺寸缩小。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10B | 电存储器件 |
| ------H10B43/00 | 具有电荷俘获栅极绝缘层的EEPROM |
| --------H10B43/30 | .以存储器核心区为特征的 |