![一种硅基微波介质陶瓷温频特性调控剂](/CN/2024/1/8/images/202410042349.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 一种硅基微波介质陶瓷温频特性调控剂
- 申请号:CN202410042349.5 申请日:2024-01-11
- 公开(公告)号:CN118047599A 公开(公告)日:2024-05-17
- 发明人: 雷文 , 杨佳庆 , 吕文中 , 宋小强 , 王晓川 , 付明 , 张猛
- 申请人: 华中科技大学 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号;
- 专利权人: 华中科技大学,华中科技大学温州先进制造技术研究院
- 当前专利权人: 华中科技大学,华中科技大学温州先进制造技术研究院
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号;
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理人: 许恒恒
- 主分类号: C04B35/195
- IPC分类号: C04B35/195 ; C04B35/622 ; H01B3/12
摘要:
本发明属于微波介质陶瓷技术领域,公开了一种硅基微波介质陶瓷温频特性调控剂,具体的,提供了一种微波介质陶瓷材料作为微波介质陶瓷温频特性调节剂的应用,该微波介质陶瓷材料的化学式为(BaxSryCaz)3MgSi2O8,其中,0<x<1,0≤y<1,0≤z<1,且x+y+z=1;并且,当z=0时,0.25≤x≤0.75,0.25≤y≤0.75;当z≠0时,0.33≤x≤0.34,0≤y≤0.66。本发明通过对材料的组成进行改进,得到的(BaxSryCaz)3MgSi2O8材料,具有介电常数低,介电损耗低,谐振频率温度系数可调的特点,尤其可作为微波介质陶瓷温频特性调节剂。