基本信息:
- 专利标题： 一种α-Ga
- 申请号：CN202410437708.7 申请日：2024-04-12
- 公开(公告)号：CN118039706B 公开(公告)日：2024-08-23
- 发明人： 张文瑞 , 章建国 , 刘凯森 , 刘宁涛 , 叶继春
- 申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 申请人地址： 浙江省宁波市镇海区中官西路1219号
- 专利权人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 当前专利权人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 当前专利权人地址： 浙江省宁波市镇海区中官西路1219号
- 代理机构： 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 江宇
- 主分类号： H01L29/872
- IPC分类号： H01L29/872 ; H01L29/06 ; H01L21/34 ; H01L21/36
摘要：
本公开提供了一种α‑Ga
公开/授权文献:
- CN118039706A 一种α-Ga2O3肖特基二极管 公开/授权日：2024-05-14
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/86 | ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的 |
| ------------H01L29/861 | ...二极管 |
| --------------H01L29/872 | ....肖特基二极管 |