基本信息:
- 专利标题： 半导体器件版图结构
- 申请号：CN202410432173.4 申请日：2024-04-11
- 公开(公告)号：CN118039637A 公开(公告)日：2024-05-14
- 发明人： 金鹏 , 马婷 , 汪小小 , 陈信全
- 申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址： 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 当前专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所
- 代理人： 周耀君
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02
摘要：
本发明提供了一种半导体器件版图结构，包括：半导体衬底、第一P型阱区和两个N型阱区，第一P型阱区位于半导体衬底中，两个N型阱区均位于半导体衬底中，两个N型阱区对称设置于第一P型阱区的两侧，且每个N型阱区均包括第一N型子阱区和两个第二N型子阱区，每个N型阱区中的两个第二N型子阱区分别与第一N型子阱区靠近第一P型阱区一侧的两端部连接，且第二N型子阱区与第一P型阱区连接。本发明能够防止半导体器件工作在饱和区时出现基区扩展效应，从而提高半导体器件的稳定性。
公开/授权文献:
- CN118039637B 半导体器件版图结构 公开/授权日：2024-07-05