基本信息:
- 专利标题： 一种碳化硅晶锭剥离系统及方法
- 申请号：CN202410097606.5 申请日：2024-01-23
- 公开(公告)号：CN117926425A 公开(公告)日：2024-04-26
- 发明人： 严一雄 , 陈思佳 , 程宇轩 , 郑煜 , 邓逸飞 , 仲顺顺 , 马著
- 申请人： 长沙理工大学
- 申请人地址： 湖南省长沙市天心区赤岭路45号
- 专利权人： 长沙理工大学
- 当前专利权人： 长沙理工大学
- 当前专利权人地址： 湖南省长沙市天心区赤岭路45号
- 代理机构： 北京知艺互联知识产权代理有限公司
- 代理人： 孟晨光
- 主分类号： C30B33/00
- IPC分类号： C30B33/00 ; B23K26/00 ; H01L21/67 ; C30B29/36
摘要：
本发明公开了一种碳化硅晶锭剥离系统，属于晶锭剥离技术领域，包括检测及激光加工系统和剥离系统，所述检测及激光加工系统包括检测模块、加工模块和设置在所述检测模块与所述加工模块之间的第一机械手，所述剥离系统包括处理模块、剥离模块和设置在所述处理模块与所述剥离模块之间的第二机械手，通过该系统对碳化硅晶锭进行剥离。本发明采用上述结构的一种碳化硅晶锭剥离系统及方法，将晶锭在加工前进行三维形貌分析检测、皮秒激光加工晶锭改性和晶圆剥离等工序集成化，通过在激光扫描后通过施加热应力和振动使得晶锭内微裂纹可控地扩展，再使用液氮降低晶锭温度使晶锭收缩，实现应力释放，以降低剥离后晶圆表面粗糙度，提升晶锭剥离质量。