基本信息:
- 专利标题： 半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备
- 申请号：CN202410008124.8 申请日：2024-01-03
- 公开(公告)号：CN117913023A 公开(公告)日：2024-04-19
- 发明人： 孙传帮 , 邵长海 , 于航 , 李鲲翔
- 申请人： 吉林华微电子股份有限公司
- 申请人地址： 吉林省吉林市高新区深圳街99号
- 专利权人： 吉林华微电子股份有限公司
- 当前专利权人： 吉林华微电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 吉林省吉林市高新区深圳街99号
- 代理机构： 成都极刻智慧知识产权代理事务所
- 代理人： 陈万艺
- 主分类号： H01L21/71
- IPC分类号： H01L21/71 ; H01L21/78
摘要：
本申请提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备，涉及半导体芯片技术领域。所述方法包括：提供一硅片；在硅片的至少一个表面形成钝化槽；在钝化槽内设置光刻胶及玻璃粉，其中，光刻胶在钝化槽的中间区域，且光刻胶和玻璃粉不相互覆盖；对玻璃粉进行高温处理形成玻璃覆盖层，并烧蚀去除光刻胶以形成划片道；在硅片的第一表面以及第二表面形成位于划片道两侧的至少两个半导体器件的各个功能结构膜层；功能结构膜层与划片道不重叠；从划片道处进行划片，使各半导体器件相互分离。在上述设计中，可以从划片道处进行划片，而无需划玻璃，玻璃不会产生崩边和裂纹，划片速度快，效率高，产品碎片率低，且大大降低了制造成本。