基本信息:
- 专利标题： 包含自由基捕获剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
- 申请号：CN202410140541.8 申请日：2020-02-13
- 公开(公告)号：CN117908332A 公开(公告)日：2024-04-19
- 发明人： 上林哲 , 远藤贵文 , 桥本雄人 , 远藤勇树 , 岸冈高广 , 坂本力丸
- 申请人： 日产化学株式会社
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： 日产化学株式会社
- 当前专利权人： 日产化学株式会社
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理人： 孙丽梅; 段承恩
- 优先权： 2019-075868 20190411 JP 2019-075868 20190411 JP
- 主分类号： G03F7/027
- IPC分类号： G03F7/027 ; G03F7/031 ; G03F7/11 ; G03F7/20 ; G03F7/32 ; G03F7/38
摘要：
提供在半导体制造中的光刻工艺中使用的、保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含主链中包含二硫键的聚合物、自由基捕获剂、以及溶剂。上述自由基捕获剂优选为具有环结构或硫醚结构的化合物。上述环结构优选为碳原子数6～40的芳香环结构或2,2,6,6‑四甲基哌啶结构。