基本信息:
- 专利标题： 一种缺陷调控的二维材料异质结器件及其制备方法和应用
- 申请号：CN202311818080.7 申请日：2023-12-27
- 公开(公告)号：CN117907410A 公开(公告)日：2024-04-19
- 发明人： 李泽晖 , 王坤婵 , 李彭 , 钟嘉浩 , 郭瑞锐
- 申请人： 上海交通大学
- 申请人地址： 上海市闵行区东川路800号
- 专利权人： 上海交通大学
- 当前专利权人： 上海交通大学
- 当前专利权人地址： 上海市闵行区东川路800号
- 代理机构： 上海科盛知识产权代理有限公司
- 代理人： 沙永生
- 主分类号： G01N27/48
- IPC分类号： G01N27/48 ; H10K71/00 ; H10K30/60 ; H10K30/10 ; H01M4/02 ; H01M4/90 ; H01M4/04 ; H01M4/88 ; G01N27/30 ; G01V8/10
摘要：
本发明属于电子器件领域，具体涉及一种缺陷调控的二维材料异质结器件及其制备方法和应用，包括如下步骤：将二维材料转移至衬底上，并制备电极，形成二维材料器件；通过等离子体清洗在二维材料的表面制造缺陷；将形成有缺陷的二维材料器件浸入低温金属离子溶液中；将浸泡后的二维材料器件再次浸入配体溶液中，并进行循环浸泡，在二维材料表面生长第二层多孔骨架结构材料形成异质结；清洗并干燥，得到缺陷调控的二维材料异质结器件。与现有技术相比，本发明解决现有技术中无法选择性设计的问题；本方案通过缺陷锚定金属离子，实现了具有目标位点、定向选择性的二维材料异质结器件，且制备方法简单、可控，能够大面积制备。
公开/授权文献:
- CN117907410B 一种缺陷调控的二维材料异质结器件及其制备方法和应用 公开/授权日：2024-11-26
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01N | 借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料 |
| ------G01N27/00 | 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料 |
| --------G01N27/02 | .通过测试阻抗 |
| ----------G01N27/28 | ..电解池部件 |
| ------------G01N27/48 | ...用极谱法，即缓慢改变电压时测量电流的变化 |