基本信息:
- 专利标题： 一种外延晶圆的线性缺陷检测方法、装置及存储介质
- 申请号：CN202311763347.7 申请日：2023-12-20
- 公开(公告)号：CN117877998A 公开(公告)日：2024-04-12
- 发明人： 林可 , 马强强 , 高坤 , 李康康 , 柯希恒
- 申请人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 , 西安奕斯伟硅片技术有限公司
- 申请人地址： 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室;
- 专利权人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司,西安奕斯伟硅片技术有限公司
- 当前专利权人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司,西安奕斯伟硅片技术有限公司
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室;
- 代理机构： 西安维英格知识产权代理事务所
- 代理人： 沈寒酉; 王渝
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66 ; H01L21/67 ; G01N23/2251
摘要：
本公开提供了一种外延晶圆的线性缺陷检测方法、装置及存储介质；该方法包括：从待测外延晶圆表面的激光粒子扫描图像中获取所述待测外延晶圆表面的缺陷图像；根据所述缺陷图像中所呈现的缺陷角度、长度以及图像放大比例从所述激光粒子扫描图像中确定所述待测外延晶圆表面存在的线性缺陷。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |