基本信息:
- 专利标题： 调整相移掩模版相位差和穿透率的方法及系统
- 申请号：CN202311733528.5 申请日：2023-12-15
- 公开(公告)号：CN117872671A 公开(公告)日：2024-04-12
- 发明人： 柳仙蓉 , 施维 , 郑怀志 , 罗嘉盈 , 黄偲 , 甘裕明
- 申请人： 广州新锐光掩模科技有限公司
- 申请人地址： 广东省广州市(中新广州知识城)亿创街1号406房之518
- 专利权人： 广州新锐光掩模科技有限公司
- 当前专利权人： 广州新锐光掩模科技有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省广州市(中新广州知识城)亿创街1号406房之518
- 代理机构： 北京清大紫荆知识产权代理有限公司
- 代理人： 余中燕
- 主分类号： G03F1/80
- IPC分类号： G03F1/80 ; G03F1/26
摘要：
本申请提供一种调整相移掩模版相位差和穿透率的方法及系统，应用相移掩模版的应用技术领域，其中，包括：对于相移层上已生成氧化层的相移掩模版，通过含氟干法蚀刻去除氧化层，通过含氧干法蚀刻生成氧化层，通过蚀刻作用控制相移层的厚度，以调整相移掩模版相位差和穿透率。本申请可以安全实现改善相移掩模版相位差和穿透率偏差问题，利用含氟等离子体对氧化层的蚀刻作用将其去除，而含氧等离子体的氧化作用可使氧化层重新形成，以此实现对相位差和穿透率的调整，不影响图形形态和关键尺寸，提高精确度和光刻分辨率。