基本信息:
- 专利标题： 一种基于过压及洁净控制的晶圆检测系统
- 申请号：CN202410042881.7 申请日：2024-01-11
- 公开(公告)号：CN117855077A 公开(公告)日：2024-04-09
- 发明人： 吴东 , 王婧 , 陶大帅 , 顾文斐 , 蔡雄飞
- 申请人： 苏州矽行半导体技术有限公司
- 申请人地址： 江苏省苏州市高新区培源路2号微系统园2号楼106室
- 专利权人： 苏州矽行半导体技术有限公司
- 当前专利权人： 苏州矽行半导体技术有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市高新区培源路2号微系统园2号楼106室
- 代理机构： 北京千壹知识产权代理事务所
- 代理人： 王玉玲
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66 ; B01D46/00 ; B01D46/44 ; G05D16/20 ; H01L21/677
摘要：
本发明提供了一种基于过压及洁净控制的晶圆检测系统，属于半导体检测的环境控制领域，晶圆检测系统包括EFEM装置、检测装置和过渡腔；所述过渡腔设置在EFEM装置和检测装置之间；其中，在EFEM装置处设置前端风机过滤集成单元和离子棒，形成EFEM洁净气流流路；在过渡腔处形成过渡气流流路；在检测装置处设置检测风机过滤集成单元和厂务排风组件，形成检测气流及排风流路。本申请通过结构设计实现流路过压及洁净度控制，合理的过压及流场控制有助于晶圆检测系统在稳定环境中保持高效、可靠、持续的运行，便于推广应用。
公开/授权文献:
- CN117855077B 一种基于过压及洁净控制的晶圆检测系统 公开/授权日：2024-06-18
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |