基本信息:
- 专利标题： SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法
- 申请号：CN202311720609.1 申请日：2023-12-13
- 公开(公告)号：CN117849565A 公开(公告)日：2024-04-09
- 发明人： 马凯 , 李巍巍 , 李盈 , 谭令其 , 于圣旭 , 时晓洁 , 王智强 , 李歆蔚 , 杨柳 , 马燕君
- 申请人： 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
- 申请人地址： 广东省广州市越秀区东风东路水均岗8号;
- 专利权人： 广东电网有限责任公司电力科学研究院,华中科技大学
- 当前专利权人： 广东电网有限责任公司电力科学研究院,华中科技大学
- 当前专利权人地址： 广东省广州市越秀区东风东路水均岗8号;
- 代理机构： 武汉同誉知识产权代理有限公司
- 代理人： 于福
- 主分类号： G01R31/26
- IPC分类号： G01R31/26
摘要：
本发明属于智能监测装置技术领域，公开了一种SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法，借助电流传感器判断负载电流方向，当负载电流反向流过待测器件且待测器件导通时，触发在线监测程序；使用电流源抽取待测器件输入电容的电荷，使待测器件栅极电压在恒定电流作用下不断降低，同时使用运算放大器构成微分运算电路实时测量dVgs/dt；比较器的参考值设置为Vref，当Ciss降低至Cref时，Vdif(dVgs/dt)增大至Vref，比较器输出电压Vcmp拉高，RS锁存器输出信号Q拉低，关断N‑MOSFET S2，切断电流源输出，使得待测器件Vgs锁存在Vref；RS锁存器的反向输出nQ拉高，触发ADC对Vgs进行采样，将此时的Vref采集进入微控制器进行记录，通过和过去值的对比，判断栅极氧化物的健康状态。
公开/授权文献:
- CN117849565B SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法 公开/授权日：2024-10-25
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01R | 测量电变量；测量磁变量（通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
| ------G01R31/00 | 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置 |
| --------G01R31/26 | .单个半导体器件的测试 |