基本信息:
- 专利标题： 倒装LED芯片阵列及其制备方法
- 申请号：CN202410019080.9 申请日：2024-01-04
- 公开(公告)号：CN117832339A 公开(公告)日：2024-04-05
- 发明人： 范凯平 , 郑洪仿 , 唐恝 , 卢淑欣 , 于倩倩
- 申请人： 佛山市国星半导体技术有限公司
- 申请人地址： 广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
- 专利权人： 佛山市国星半导体技术有限公司
- 当前专利权人： 佛山市国星半导体技术有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
- 代理机构： 广州三环专利商标代理有限公司
- 代理人： 李素兰
- 优先权： 2023118628955 20231229 CN
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L25/075 ; H01L25/00 ; H01L33/52 ; H01L33/46 ; H01L33/50 ; H01L33/64 ; H01L21/683
摘要：
本发明公开了一种倒装LED芯片阵列及其制备方法，涉及发光二极管技术领域。制备方法包括以下步骤：(1)将倒装LED芯片的衬底一侧固定到胶膜层上，得到芯片阵列；(2)将芯片阵列的焊盘焊接到封装基板的焊点上；剥离胶膜层，得到焊接阵列；(3)去除焊接阵列上倒装LED芯片的衬底和本征半导体层，得到第一中间阵列；(4)在第一中间阵列的相邻倒装LED芯片之间形成反射层，得到第二中间阵列；(5)在第二中间阵列远离封装基板一侧形成荧光层，即得到倒装LED芯片阵列成品。实施本发明，可提升倒装LED芯片阵列的亮度、良率和可靠性，延长使用寿命，同时缩短制程，降低产品成本。